A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB против Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB

-->

Средняя оценка

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

Средняя оценка

Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

Причины выбрать
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

Сообщить об ошибке

Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

14.9 13.4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.9 7.8

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

27 27
Скорость чтения, Гб/сек

13.4 14.9
Скорость записи, Гб/сек

7.8 12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2181 3271

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB

A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB

модули RAM

Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB

Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB

Kingston 9965600-005.A00G 16GB

Kingston 9965600-005.A00G 16GB

модули RAM

Kingston K1N7HK-ELC 2GB

Kingston K1N7HK-ELC 2GB

Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB

Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB

модули RAM

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB

SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB

Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB

Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB

модули RAM

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB

модули RAM

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB

Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB

Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB

A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB

A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB

модули RAM

Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB

Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB

Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB

модули RAM