RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Сравнить
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB против G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
28
Около 4% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.1
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
16.1
Скорость записи, Гб/сек
7.8
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2181
3010
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-185.A00LF 8GB
Kingston 9905403-410.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
INTENSO 5641162 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR3 2400 CL10 4GB 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link