RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Сравнить
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
29
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.6
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.9
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
29
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
13.6
Скорость записи, Гб/сек
7.8
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2181
2419
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-185.A00LF 8GB
Kingston 9905403-410.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 16HTF25664AY-800J1 2GB
Micron Technology 16HTF25664AY-800G1 2GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link