RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Сравнить
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB против Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Средняя оценка
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
48
Около 44% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.4
11.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.4
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
48
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
11.6
Скорость записи, Гб/сек
7.8
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2181
2466
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-185.A00LF 8GB
Kingston 9905403-410.A00LF 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link