RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Сравнить
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
71
Около 62% меньшая задержка
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.5
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.3
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
71
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
15.5
Скорость записи, Гб/сек
7.8
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2181
1902
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-185.A00LF 8GB
Kingston 9905403-410.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link