RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Сравнить
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB против Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
30
Около 10% меньшая задержка
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.9
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.7
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
30
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
15.9
Скорость записи, Гб/сек
7.8
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2181
2846
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-185.A00LF 8GB
Kingston 9905403-410.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link