A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB против V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB

-->

Средняя оценка

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

Средняя оценка

V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB

V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

Причины выбрать
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

27 40

Около 33% меньшая задержка

V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB

Причины выбрать
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

17.5 13.4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

9.7 7.8

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

27 40
Скорость чтения, Гб/сек

13.4 17.5
Скорость записи, Гб/сек

7.8 9.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2181 2462

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB

V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB

Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB

модули RAM

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Kingston HX421C14FB/4 4GB

Kingston HX421C14FB/4 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB

G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB

Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB

модули RAM

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB

Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB

Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB

модули RAM

Kingston 9905471-006.A01LF 4GB

Kingston 9905471-006.A01LF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB

Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB

Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB

модули RAM