RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Сравнить
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB против Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.5
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.0
4.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
24
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
15.5
Скорость записи, Гб/сек
4.6
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1560
2445
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link