A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB против Inmos + 256MB

-->

Средняя оценка

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB

Средняя оценка

Inmos + 256MB

Inmos + 256MB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB

Причины выбрать
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 30

Около 13% меньшая задержка

Inmos + 256MB

Причины выбрать
Inmos + 256MB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

11.5 9.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

9.1 4.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

16800 12800

Около 1.31 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB

Inmos + 256MB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

26 30
Скорость чтения, Гб/сек

9.8 11.5
Скорость записи, Гб/сек

4.6 9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 16800

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz no data
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1560 2318

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB

Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C

Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB

Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB

EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB

A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8A-PB 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8A

SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB

модули RAM

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB

Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB

модули RAM

Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB

Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB

модули RAM

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB

A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB

A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB

Kingston 9905678-033.A00G 4GB

Kingston 9905678-033.A00G 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB

Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB

модули RAM