Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Средняя оценка

Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB

Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Сообщить об ошибке

Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB

Причины выбрать
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 30

Около -15% меньшая задержка
Выше скорость чтения

14.1 10.6

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

10.7 6.8

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 8500

Около 2 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

30 26
Скорость чтения, Гб/сек

10.6 14.1
Скорость записи, Гб/сек

6.8 10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

8500 17000

Other

Описание

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1066 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1479 2679

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

A-DATA Technology DDR4 2400 16GB

A-DATA Technology DDR4 2400 16GB

Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB

Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB

Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Kingston 9905678-065.A00G 8GB

Kingston 9905678-065.A00G 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB

Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB

G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB

Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB

Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB

модули RAM

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB

модули RAM

Kingston XCCT36-MIE 16GB

Kingston XCCT36-MIE 16GB

Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB

Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB

G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB

Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB

модули RAM

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB

модули RAM

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB

Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB

модули RAM

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB

A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB

Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB

Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB

модули RAM