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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Comparar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Pontuação geral
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Razões a considerar
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
30
Por volta de -15% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.1
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.7
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
8500
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
26
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
14.1
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
10.7
Largura de banda de memória, mbps
8500
17000
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1479
2679
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
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Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
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