A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB против Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB

-->

Средняя оценка

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB

Средняя оценка

Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB

Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB

Причины выбрать
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 30

Около 13% меньшая задержка

Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB

Причины выбрать
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

16.6 9.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.8 4.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB

Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

26 30
Скорость чтения, Гб/сек

9.8 16.6
Скорость записи, Гб/сек

4.6 11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1560 2945

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB

SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB

модули RAM

Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB

Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB

Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB

Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB

модули RAM

G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB

G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB

Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB

Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB

Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB

модули RAM

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB

Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Kingston 9905663-007.A00G 16GB

Kingston 9905663-007.A00G 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C

Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB

Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB

Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB

модули RAM

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

модули RAM

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB

Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB

модули RAM