RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
Сравнить
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
29
Около 7% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.5
8.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
12
11.9
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
27
29
Скорость чтения, Гб/сек
11.9
12.0
Скорость записи, Гб/сек
8.5
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
10600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1620
2171
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Сравнения RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link