RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
27
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.2
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.7
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
25
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
19.2
Скорость записи, Гб/сек
8.4
15.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
3680
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB Сравнения RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link