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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
Compara
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
Puntuación global
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
29
En 7% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.5
8.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12
11.9
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
27
29
Velocidad de lectura, GB/s
11.9
12.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
10600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1620
2171
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
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