RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сравнить
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB против Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
33
Около 21% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.6
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
4.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
33
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
17.6
Скорость записи, Гб/сек
4.6
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1560
2910
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link