RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Сравнить
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
28
Около 7% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14
13.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
10.1
9.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
28
Скорость чтения, Гб/сек
14.0
13.8
Скорость записи, Гб/сек
9.1
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2330
2179
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Сравнения RAM
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link