RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Сравнить
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
29
Около 10% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14
13.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
10.2
9.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
29
Скорость чтения, Гб/сек
14.0
13.5
Скорость записи, Гб/сек
9.1
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2330
2088
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Сравнения RAM
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston ACR16D3LS1NBG/4G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link