RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Сравнить
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
26
Около -44% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.4
14
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.2
9.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
18
Скорость чтения, Гб/сек
14.0
20.4
Скорость записи, Гб/сек
9.1
17.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2330
3814
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Сравнения RAM
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link