RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Porównaj
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
26
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.4
14
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
9.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
18
Prędkość odczytu, GB/s
14.0
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.1
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2330
3814
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link