RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Сравнить
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB против Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Средняя оценка
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
74
Около 65% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.1
7.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
74
Скорость чтения, Гб/сек
14.0
13.6
Скорость записи, Гб/сек
9.1
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2330
1616
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Сравнения RAM
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Kingston 99U5471-037.A00LF 8GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link