RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    25 left arrow 28
    Около -12% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    14.8 left arrow 12.7
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    8.9 left arrow 7.5
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 8500
    Около 2 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    28 left arrow 25
  • Скорость чтения, Гб/сек
    12.7 left arrow 14.8
  • Скорость записи, Гб/сек
    7.5 left arrow 8.9
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    8500 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1988 left arrow 2542

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM

Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB Сравнения RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
модули RAM
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
модули RAM
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
модули RAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
модули RAM
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
модули RAM
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
модули RAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
модули RAM
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
модули RAM