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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
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Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
28
Intorno -12% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.8
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.9
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
25
Velocità di lettura, GB/s
12.7
14.8
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
8.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
2542
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
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