RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Сравнить
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB против Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,343.1
11.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
49
Около -104% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
24
Скорость чтения, Гб/сек
5,135.8
15.5
Скорость записи, Гб/сек
2,343.1
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
843
2445
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB Сравнения RAM
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link