A-DATA Technology DDR2 800G 2GB против G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB

-->

Средняя оценка

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB

G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

Причины выбрать
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

5 12.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,343.1 10.1

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

38 49

Около -29% меньшая задержка
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

49 38
Скорость чтения, Гб/сек

5,135.8 12.9
Скорость записи, Гб/сек

2,343.1 10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

843 2690

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB

Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB

модули RAM

Elpida EBJ40UG8EFU5-GNL-F 4GB

Elpida EBJ40UG8EFU5-GNL-F 4GB

Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB

Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB

модули RAM

AMD R5S38G1601U2S 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB

Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB

Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB

модули RAM

Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB

Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB

модули RAM

Kingston KN2M64-ETB 8GB

Kingston KN2M64-ETB 8GB

Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB

Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB

модули RAM

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB

G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB

A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB

Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB

Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB

модули RAM

Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB

Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB

Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB

Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB

Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB

V-GEN D4H4GS24A8 4GB

V-GEN D4H4GS24A8 4GB

модули RAM

Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB

Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB

модули RAM