RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Сравнить
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB против Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
40
Около -14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
35
Скорость чтения, Гб/сек
13.6
16.8
Скорость записи, Гб/сек
7.8
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2097
3306
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB Сравнения RAM
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68E9W1600 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link