RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Сравнить
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
40
Около -82% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
22
Скорость чтения, Гб/сек
13.6
17.7
Скорость записи, Гб/сек
7.8
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2097
3075
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB Сравнения RAM
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Сравнения RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link