RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Сравнить
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB против G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
41
Около -64% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.5
14
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.6
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
25
Скорость чтения, Гб/сек
14.0
15.5
Скорость записи, Гб/сек
8.5
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2324
2910
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link