Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB против Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB

-->

Средняя оценка

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Средняя оценка

Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB

Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

29 49

Около 41% меньшая задержка
Выше скорость чтения

12.8 10.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

9.4 8.3

Среднее значение в тестах

Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB

Причины выбрать
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

29 49
Скорость чтения, Гб/сек

12.8 10.9
Скорость записи, Гб/сек

9.4 8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2282 2413

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9905701-098.A00G 16GB

Kingston 9905701-098.A00G 16GB

модули RAM

Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB

Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB

модули RAM

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB

Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB

Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB

A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB

модули RAM

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB

A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB

модули RAM

Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB

Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB

Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB

Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB

модули RAM

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB

Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB

модули RAM