RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB vs Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
49
Wokół strony 41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.8
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
8.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
49
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
10.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2282
2413
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston 9905428-123.A00LF 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMY32GX3M4A1600C9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 93T2950BZ3-CCC 1GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Team Group Inc. 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link