A-DATA Technology DDR3 1600 4GB против Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB

-->

Средняя оценка

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

Средняя оценка

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

Причины выбрать
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

41 51

Около 20% меньшая задержка
Выше скорость чтения

14 9.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

8.5 8.1

Среднее значение в тестах

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB

Причины выбрать
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

41 51
Скорость чтения, Гб/сек

14.0 9.9
Скорость записи, Гб/сек

8.5 8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2324 2314

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB

модули RAM

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB

Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB

модули RAM

Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB

Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB

SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB

Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB

Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB

модули RAM

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB

Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB

Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB

Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB

модули RAM

Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB

Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB

Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB

Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB

модули RAM

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

SK Hynix HMT351R7BFR8A-H9 4GB

SK Hynix HMT351R7BFR8A-H9 4GB

модули RAM