Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Средняя оценка
star star star star star
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    73 left arrow 76
    Около 4% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    3 left arrow 15.1
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    7.9 left arrow 1,423.3
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 5300
    Около 4.02 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    73 left arrow 76
  • Скорость чтения, Гб/сек
    3,510.5 left arrow 15.1
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,423.3 left arrow 7.9
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    5300 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    476 left arrow 1859
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения