RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Сравнить
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB против Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
29
Около 28% меньшая задержка
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
22.8
17.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.9
10.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
21
29
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
22.8
Скорость записи, Гб/сек
10.0
16.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2771
3792
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3 1600G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMT451U6MFR8C-PB 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link