RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Сравнить
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB против G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
24
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.5
17.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.0
10.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
21
24
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
20.5
Скорость записи, Гб/сек
10.0
17.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2771
4064
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3 1600G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link