RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Сравнить
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB против G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
-->
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
24
Около 8% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.5
17.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.0
12.7
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
22
24
Скорость чтения, Гб/сек
17.7
20.5
Скорость записи, Гб/сек
12.7
17.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3075
4064
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Сравнения RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link