RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Сравнить
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB против G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
-->
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
24
Около 8% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.5
17.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.0
12.7
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
22
24
Скорость чтения, Гб/сек
17.7
20.5
Скорость записи, Гб/сек
12.7
17.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3075
4064
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Сравнения RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link