RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Сравнить
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB против G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
30
Около 30% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.8
17.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
14.8
10.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
21
30
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
17.7
Скорость записи, Гб/сек
10.0
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2771
3606
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3 1600G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link