RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Сравнить
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.8
15.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
30
Около -20% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.7
11.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
25
Скорость чтения, Гб/сек
16.8
15.3
Скорость записи, Гб/сек
11.5
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
21300
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3019
2704
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link