RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
15.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
30
Rund um -20% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.7
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
12.7
Speicherbandbreite, mbps
17000
21300
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3019
2704
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Legend Silicon Corp. ] ] ] ]E6 ] ] ]00 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link