RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Сравнить
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB против Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Средняя оценка
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
50
Около 40% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
10.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.5
7.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
50
Скорость чтения, Гб/сек
16.8
10.2
Скорость записи, Гб/сек
11.5
7.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
21300
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3019
2064
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link