RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Porównaj
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB vs Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Wynik ogólny
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
50
Wokół strony 40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
7.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
50
Prędkość odczytu, GB/s
16.8
10.2
Prędkość zapisu, GB/s
11.5
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
21300
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3019
2064
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link