RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сравнить
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
56
Около -133% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
1,925.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
56
24
Скорость чтения, Гб/сек
4,315.2
16.0
Скорость записи, Гб/сек
1,925.7
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
658
2925
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Сравнения RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link