RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Сравнить
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB против InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
56
Около -75% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.5
1,925.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
56
32
Скорость чтения, Гб/сек
4,315.2
16.0
Скорость записи, Гб/сек
1,925.7
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
658
2714
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Сравнения RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link