RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
34
Около 29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
12.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
34
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2756
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
AMD R744G2400U1S 4GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link