RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
34
Около 29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
12.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
34
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2756
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link