RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
18.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
46
Около -59% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.1
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
3200
Около 5.31 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
29
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
18.3
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
17000
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3529
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB Сравнения RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link