RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Сравнить
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB против Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
17.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
52
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.8
1,145.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
4200
Около 5.07 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
26
Скорость чтения, Гб/сек
2,614.5
17.7
Скорость записи, Гб/сек
1,145.9
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
4200
21300
Other
Описание
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
409
3055
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link