A-DATA Technology DQKD1A08 1GB против G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB

-->

Средняя оценка

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB

G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Причины выбрать
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

2 15.7

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

36 52

Около -44% меньшая задержка
Выше скорость записи

13.2 1,145.9

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 4200

Около 4.57 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

52 36
Скорость чтения, Гб/сек

2,614.5 15.7
Скорость записи, Гб/сек

1,145.9 13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

4200 19200

Other

Описание

PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

4-4-4-12 / 533 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

409 2971

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

AMD R744G2133U1S 4GB

AMD R744G2133U1S 4GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

Kingston 9905678-007.A00G 8GB

Kingston 9905678-007.A00G 8GB

модули RAM

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB

Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB

Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB

Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB

модули RAM

Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB

Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB

Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB

модули RAM

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB

Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB

модули RAM

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB

модули RAM

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB

Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

модули RAM

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB

Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Team Group Inc. DDR4 3600 8GB

Team Group Inc. DDR4 3600 8GB

модули RAM