RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Сравнить
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB против G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
17.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
52
Около -79% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.2
1,145.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
4200
Около 4.05 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
29
Скорость чтения, Гб/сек
2,614.5
17.6
Скорость записи, Гб/сек
1,145.9
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
4200
17000
Other
Описание
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
409
3573
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905316-131.A00LF 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Samsung M393B2G70DB0-CK0 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link