RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Сравнить
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
18.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
52
Около -148% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.3
1,145.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
4200
Около 4.05 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
21
Скорость чтения, Гб/сек
2,614.5
18.7
Скорость записи, Гб/сек
1,145.9
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
4200
17000
Other
Описание
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
409
3437
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link