RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Сравнить
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB против G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
19.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
52
Около -108% меньшая задержка
Выше скорость записи
16.2
1,145.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
4200
Около 4.05 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
25
Скорость чтения, Гб/сек
2,614.5
19.5
Скорость записи, Гб/сек
1,145.9
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
4200
17000
Other
Описание
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
409
3890
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link