A-DATA Technology DQKD1A08 1GB против Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB

-->

Средняя оценка

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Средняя оценка

Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Причины выбрать
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

2 16

Среднее значение в тестах

Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB

Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 52

Около -86% меньшая задержка
Выше скорость записи

11.2 1,145.9

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 4200

Около 6.1 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

52 28
Скорость чтения, Гб/сек

2,614.5 16.0
Скорость записи, Гб/сек

1,145.9 11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

4200 25600

Other

Описание

PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота

4-4-4-12 / 533 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

409 2901

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB

A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB

Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB

Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB

модули RAM

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB

модули RAM

Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB

Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB

Kingston 9905630-063.A00G 16GB

Kingston 9905630-063.A00G 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB

Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2 8GB

Kingston 99U5471-050.A00LF 8GB

Kingston 99U5471-050.A00LF 8GB

модули RAM

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB

модули RAM

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N

модули RAM

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB

Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB

ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB

Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB

InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB

InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB

G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB

модули RAM